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标签: 美光 DDR5 HBM AI存储

时间：2026-11-14 来源：连绵起伏网

云梦级1月12日云梦级消息，据外媒 Wccftech 报道，美光移动与客户端业务部门市场副总裁克里斯托标签弗·摩尔(Christopher Moore) 表示，由于晶圆厂扩建周期漫长、认证流程复杂，存储器供应紧张的问题: 在 2028 年前难以明显改善。

这一判断与美光的长期扩产规划形成呼应。据悉，美光纽约首座晶圆厂计划于 2030美光年投产，第二座工厂预计在 2033 年上线，第四座工厂则规划在 2045 年前后完成。同时，美光爱达荷州第一座晶圆 D厂预计 2027 年开始 DRAM 生产，第二座爱达荷工厂的投产时间预计将早于纽约首厂。

摩尔指出，新建晶圆厂不DR仅涉及建设本身，还包括客户认证以及满足 AI 客户对制程和良率的高标准要求，这些因素都会拉长时间表。因此，在5 全部审批完成之前，美光爱达荷工厂难以实现实质性放量，真正显著的产能释放预计要到 2028 年之后。

摩尔HB同时强调，单靠新工厂投产，无法迅速解决当前的存储器短缺，另一大制约因素在于客户对不同容量模组的多样M 化需求。例如，当苹果等客户同时下单 8GB、12GB 和 16GB 模组时，生产线需要频繁切换配置，从而降低整体AI效率。

AI 相关需求的快速增长正成为美光无法忽视的重点。摩尔表示，数据中心和企业级市场正在迅速扩张，其在美存储光整体存储器业务中的占比已从 30% 至 35% 提升至接近 50% 至 60%。

外媒 Tom’s Hardware 的报道则称标签，退出英睿达(Crucial）品牌，反映出美光正将资源更多转向企业级 DRAM 和 SSD，以应对 AI 带来的需求增: 长。

从报道中获悉，美光指出，随着中国存储器厂商加快布局 DDR5 和 HBM 等先进产品，来自不同地区的竞争美光反而有助于推动公司持续提升能力，从而更好地服务客户并稳固市场地位。